安庆ito靶粉回收之真空镀金中靶材中毒现象和处理方法的概要

1、目标面金属化合物的形成。  　　在从金属靶面通过反应性喷涂工艺形成化合物的过程中，化合物在哪里形成？因为活性反应气体粒子与目标表面原子碰撞产生化学反应生成化合物原子，所以通常是散热反应，反应生成热需要传导的道路，否则化学反应不能继续。在真空条件下，气体之间的热传导是不可能的，所以化学反应必须在固体表面上进行。反应性溅射产物在目标表面，衬底表面和其他结构方面进行。

2、目标中毒的影响因素  　　影响目标中毒的主要原因是反应气体和溅射气体的比例，如果反应气体过多，则会引起目标中毒。在反应性溅射过程中，在目标表面溅射通道区域内被反应产物覆盖，或者反应产物被剥离，以重新暴露金属表面消失的过程。当化合物的生成速率大于化合物的剥离速率时，化合物的覆盖面积增加。在恒定功率的情况下，与化合物产生有关的反应气体量增加，化合物生成率增加。如果反应气体量过度增加，则化合物的覆盖面积增加，若不能及时调整反应气体流量，则化合物的覆盖面积增加的速度无法抑制，飞溅通道进一步被化合物覆盖当飞溅目标被化合物覆盖时，目标完全中毒，化学结合金属膜沉积在靶面上。尽量不让别人有再次反应。

3、目标中毒现象 

  （1）正离子沉积：目标中毒时，目标面形成绝缘膜，正离子到达阴极目标面时，由于绝缘层的屏障，不能直接进入阴极目标面，若堆积到目标面上冷场电弧放电---容易产生电弧，阴极溅射无法进行。

  （2）阳极消失：目标中毒时，绝缘膜也堆积在接地的真空室壁上，到达阳极的电子不进入阳极，形成阳极消失现象。

4、目标中毒的物理解释 

  （1）一般来说，金属化合物的二次电子发射系数比金属高，目标中毒后，靶材表面是金属化合物，受到离子轰击后放出的二次电子的数量增加，空间的导通能力提高，等离子体阻抗降低溅射电压降低。这降低了溅射速度。一般来说，当磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间发生目标中毒时，溅射电压显著降低。 

  （2）金属靶材和化合物靶材的溅射速度原本就不同，一般来说金属的溅射系数比化合物的溅射系数高，所以目标中毒后的溅射速度低。

  （3）反应性溅射气体的溅射效率原本就低于惰性气体的溅射效率，所以随着反应气体的比例增加，复合溅射速率降低。

5、目标中毒的解决方法 

  （1）采用中频电源或射频电源。 

  （2）闭环控制采用反应气体的注入量。 

  （3）采用双晶目标 

  （4） 控制涂布模式的转换：涂布前，采集靶材中毒的滞后效应曲线，控制靶材中毒前端的进气流量，确保工艺始终处于沉积速率急剧下降前的模式。

安庆ito靶粉回收之喷雾粉钛铝合金靶材的制作方法

  1、主要原理  　　这个方法的主要原理是，通过气溶胶法以合金成分配合比制作靶材的原料粉末。然后将该合金粉末进行筛分以获得适当的粉末粒度。然后使用得到的粉末进行真空热压，成形靶材。 

  2、主要优势  　　这种制造方法的优点是可以制作铝、铬等各种铝合金靶材。铝、硅、铜铝、钛等。其次，这种方法可以避免材料的偏析和微粒子的缺点，从而实现更快、更经济的制作质量钛铝合金靶材。 

  3、实施步骤  　　该方法的正确实施步骤是首先提供制作铝合金靶材的金属原料。然后将这些金属原料熔融在金属溶液中。然后，用气溶胶将金属溶液做成金属粉末状。然后，用真空热压成形该金属粉末靶材，将惰性气体作为保护气体使用。

安庆ito靶粉回收之金属靶材的用途

  金属靶材应用主要包括平板显示器、半导体、太阳能电池、记录媒体等领域。其中平板显示器占33.80%，半导体占11.40%，太阳能电池占18.50%，记录媒体占28.60%。 半导体芯片用金属溅射靶材的作用，就是给芯片上制作传递信息的金属导线。具体的溅射过程：首先利用高速离子流，在高真空条件下分别去轰击不同种类的金属溅射靶材的表面，使各种靶材表面的原子一层一层地沉积在半导体芯片的表面上，然后再通过的特殊加工工艺，将沉积在芯片表面的金属薄膜刻蚀成纳米级别的金属线，将芯片内部数以亿计的微型晶体管相互连接起来，从而起到传递信号的作用。行业用的金属溅射靶材，主要种类包括：铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材，以及镍铂、钨钛等合金类的金属溅射靶材。铜靶和钽靶通常配合起来使用。目前晶圆的制造正朝着更小的制程方向发展，铜导线工艺的应用量在逐步增大。

  因此，铜和钽靶材的需求将有望持续增长。铝靶和钛靶通常配合起来使用。目前，在汽车电子芯片等需要110nm 以上技术节点来保证其稳定性和抗干扰性的领域，仍需大量使用铝、钛靶材。  应用于超大规模集成电路芯片、液晶面板、薄膜太阳能电池制造的物理气相沉积（PVD）工艺，用于制备电子薄膜材料，包括铝靶、钛靶、钽靶、钨钛靶等金属靶材。